반응열과 엔탈피 시뮬레이션

이 실험 소개

흡열 및 발열 엔탈피 프로파일을 살펴보면서 전체적인 가열 또는 냉각을 측정하세요. 반응 좌표 프로브를 움직이고, 촉매로 장벽을 낮추며, 반응한 양을 독립적으로 늘리세요.

Δ H = H_{P} - H_{R}, E_{a, r} = E_{a, f} - Δ H

모델 촉매의 유무와 관계없이 반응 경로의 양 끝점은 같습니다.

q_{rxn} = ξ Δ H, q_{solution} = - q_{rxn}

반응 진행도에 몰 반응 엔탈피를 곱합니다.

T = T_{0} - \frac{1000 ξ Δ H}{m c _{p} + C _{cal}}

엔탈피는 몰당 kJ로 입력하므로 온도 식에서 이를 줄로 변환합니다.

이 경로는 인위적으로 설정한 매끄러운 엔탈피 다이어그램이지, 양자역학적 전이 상태 계산이나 분자 궤적이 아닙니다. 경로상의 지점 탐색은 전체 반응 진행도와 독립적입니다.
반응 진행도는 제어 시계에 따라 지정되며, 속도 법칙이나 평형 전환율 또는 촉매 반응 속도론은 추론하지 않습니다.
열량계는 단열되어 있고 시작 온도는 20 °C이며, 용액의 비열은 4.18 J/(g·K)로 일정합니다. 반응 부피와 용액 질량의 변화는 무시합니다.

같은 전환율에서 촉매가 최종 열량계의 열량을 바꿀 수 있나요?

아니요. 이 모델에서는 경로 장벽만 바뀝니다. 종점 엔탈피와 지정된 반응 진행도에서의 열량은 변하지 않습니다.

움직이는 경로 구슬은 실제 장벽을 넘는 개별 분자를 나타내나요?

아니요. 표시된 개략적 에너지 곡선을 살펴보기 위한 탐침입니다. 이 모델은 장벽을 넘을 확률을 지정하지 않습니다.